IRF530 datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRF530 datasheet, аналоги, основные параметры

IRF530 - это мощный полевой транзистор (N-канальный MOSFET), который часто ставят в разную силовую электронику для коммутации. По сути, ключ, который может включать и выключать нагрузку. Основные характеристики:
-Напряжение: Выдерживает до 100 вольт между стоком и истоком.
-Ток: Может пропускать постоянный ток до 16 ампер.
-Сопротивление: В открытом состоянии сопротивление канала (Rds(on)) около 0.16 Ома - это влияет на нагрев и потери.
-Корпус: Выполнен в классическом корпусе TO220, который удобно крепить на радиатор.

Плюсы:
-Надёжный: Хорошо переносит кратковременные броски напряжения (прочная лавинная стойкость).
-Популярный: Его легко купить, стоит недорого.
-Простой в управлении: Не нужны хитрые драйверы, требования к управляющему сигналу стандартные.
-Универсальный: Нормально работает и в ключевом режиме, и в качестве усилителя (линейный режим).

Минусы (по современным меркам):
-Сопротивление великовато: По сравнению с современными моделями, 0.16 Ом - это уже много, значит, больше потерь и нагрева.
-Не для низких напряжений: Не "логический уровень". Чтобы его полноценно открыть, нужно подать все 10 вольт на затвор (а не 3.3В или 5В).
-Не самый быстрый: Скорость переключения - средняя, для очень высоких частот не подойдёт.

Важные моменты при использовании и ремонте:
1. Не скупитесь, подавайте на затвор полные 10В для уверенного открытия.
2. Не забывайте про радиатор: Он греется, особенно при больших токах. Хороший теплоотвод обязателен.
3. Берегите от статики: При пайке и замене соблюдайте осторожность - можно убить статическим электричеством.
4. При апгрейде или ремонте можно смело менять на современные аналоги с теми же выводами (pin-to-pin совместимые). Так можно найти транзистор с меньшим сопротивлением и более высоким КПД.

Наименование производителя: IRF530 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO220

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRF530

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRF530 даташит

..1. Size:173K motorola
irf530 mot.pdf pdf_icon

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by IRF530/D Advance Information IRF530 TMOS E-FET. Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS power FET is designed to withstand high 14 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. This new energy 100 VOLTS efficient design also offers a drain

..2. Size:175K international rectifier
irf530.pdf pdf_icon

..3. Size:2177K international rectifier
irf530pbf.pdf pdf_icon

PD - 94931 IRF530PbF Lead-Free 1/8/04 Document Number 91019 www.vishay.com 1 IRF530PbF Document Number 91019 www.vishay.com 2 IRF530PbF Document Number 91019 www.vishay.com 3 IRF530PbF Document Number 91019 www.vishay.com 4 IRF530PbF Document Number 91019 www.vishay.com 5 IRF530PbF Document Number 91019 www.vishay.com 6 IRF530PbF TO-220AB Package Outline D

..4. Size:53K st
irf530.pdf pdf_icon