Справочник MOSFET. FTK1N60P

 

FTK1N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK1N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK1N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  first silicon
 ftk1n60p f d i.pdf pdf_icon

FTK1N60P

SEMICONDUCTORFTK1N60P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET1.0 Amps, 600 VoltsI :N-CHANNEL MOSFET 1TO - 251D :1DESCRIPTIONTO - 252The FTK 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P :charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usu

 7.1. Size:220K  first silicon
 ftk1n60t-l.pdf pdf_icon

FTK1N60P

SEMICONDUCTORFTK1N60T/LTECHNICAL DATAPower MOSFET1.0 Amps, 600 VoltsN-CHANNEL MOSFETDESCRIPTIONThe FTK 1N60T/L is a high voltage MOSFET and is designed to1have better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalancheT : TO-92characteristics. This power MOSFET is usually used at high speedswitching app

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF6614 | 2SK3430-ZJ | IXFH58N20Q | R6535KNZ1 | SSM3J01F | 2SK3579-01MR | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.