FTK1N60P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK1N60P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FTK1N60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK1N60P даташит

 ..1. Size:288K  first silicon
 ftk1n60p f d i.pdf pdf_icon

FTK1N60P

SEMICONDUCTOR FTK1N60P / F / D / I TECHNICAL DATA Power MOSFET 1.0 Amps, 600 Volts I N-CHANNEL MOSFET 1 TO - 251 D 1 DESCRIPTION TO - 252 The FTK 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usu

 7.1. Size:220K  first silicon
 ftk1n60t-l.pdf pdf_icon

FTK1N60P

SEMICONDUCTOR FTK1N60T/L TECHNICAL DATA Power MOSFET 1.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The FTK 1N60T/L is a high voltage MOSFET and is designed to 1 have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche T TO-92 characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching app

Другие IGBT... FTK12N10S, FTK12N65DD, FTK12N65F, FTK12N65P, FTK138, FTK138D, FTK138U, FTK15N10D, CS150N03A8, FTK1N60F, FTK1N60D, FTK1N60I, FTK1N60T, FTK1N60L, FTK2N60D, FTK2N60F, FTK2N60I