Справочник MOSFET. FTK1N60P

 

FTK1N60P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FTK1N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FTK1N60P

 

 

FTK1N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  first silicon
 ftk1n60p f d i.pdf

FTK1N60P FTK1N60P

SEMICONDUCTORFTK1N60P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET1.0 Amps, 600 VoltsI :N-CHANNEL MOSFET 1TO - 251D :1DESCRIPTIONTO - 252The FTK 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P :charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usu

 7.1. Size:220K  first silicon
 ftk1n60t-l.pdf

FTK1N60P FTK1N60P

SEMICONDUCTORFTK1N60T/LTECHNICAL DATAPower MOSFET1.0 Amps, 600 VoltsN-CHANNEL MOSFETDESCRIPTIONThe FTK 1N60T/L is a high voltage MOSFET and is designed to1have better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalancheT : TO-92characteristics. This power MOSFET is usually used at high speedswitching app

Другие MOSFET... FTK12N10S , FTK12N65DD , FTK12N65F , FTK12N65P , FTK138 , FTK138D , FTK138U , FTK15N10D , 2N7000 , FTK1N60F , FTK1N60D , FTK1N60I , FTK1N60T , FTK1N60L , FTK2N60D , FTK2N60F , FTK2N60I .

 

 

Back to Top