Справочник MOSFET. FTK1N60T

 

FTK1N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK1N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для FTK1N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK1N60T Datasheet (PDF)

 0.1. Size:220K  first silicon
 ftk1n60t-l.pdf pdf_icon

FTK1N60T

SEMICONDUCTORFTK1N60T/LTECHNICAL DATAPower MOSFET1.0 Amps, 600 VoltsN-CHANNEL MOSFETDESCRIPTIONThe FTK 1N60T/L is a high voltage MOSFET and is designed to1have better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalancheT : TO-92characteristics. This power MOSFET is usually used at high speedswitching app

 7.1. Size:288K  first silicon
 ftk1n60p f d i.pdf pdf_icon

FTK1N60T

SEMICONDUCTORFTK1N60P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET1.0 Amps, 600 VoltsI :N-CHANNEL MOSFET 1TO - 251D :1DESCRIPTIONTO - 252The FTK 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P :charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usu

Другие MOSFET... FTK138 , FTK138D , FTK138U , FTK15N10D , FTK1N60P , FTK1N60F , FTK1N60D , FTK1N60I , IRF1407 , FTK1N60L , FTK2N60D , FTK2N60F , FTK2N60I , FTK2N60P , FTK2N65D , FTK2N65F , FTK2N65I .

History: FA57SA50LCP | SFF25P20S2I-02 | FTK2310 | STU35N10 | AOC3878 | CJ3415 | DHB035N04

 

 
Back to Top

 


 
.