Справочник MOSFET. FTK3004D

 

FTK3004D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FTK3004D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для FTK3004D

 

 

FTK3004D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  first silicon
 ftk3004d.pdf

FTK3004D FTK3004D

SEMICONDUCTORFTK3004DTECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK3004D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is Dsuitable for use as a load switch or in PWM applications. GGENERAL FEATURES S VDS = 30V,ID =55A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:304K  first silicon
 ftk3018.pdf

FTK3004D FTK3004D

SEMICONDUCTORFTK3018TECHNICAL DATASilicon N-channel MOSFET 100mA, 30V Features 1) Low on-resistance. 32) Fast switching speed. 23) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment.14) Easily designed drive circuits. 5) Easy to parallel. SOT323 ESD>500V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.N

 9.2. Size:421K  first silicon
 ftk3051.pdf

FTK3004D FTK3004D

SEMICONDUCTORFTK3051TECHNICAL DATAMain Product Characteristics: D1 6D DVDSS -30V 25DDG RDS(on) 45mohm(typ.) 34G SSID -4A SOT23-6 Marking and pin Schematic diagramA ssignment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resista

 9.3. Size:315K  first silicon
 ftk3022.pdf

FTK3004D FTK3004D

SEMICONDUCTOR FTK3022 TECHNICAL DATAFeathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=100V Ultra low Rdson, typical 16mohm Rdson=22mohm High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The FTK3022 is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power FTK3022 TOP View (TO

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top