FTK35N03PDFN56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK35N03PDFN56

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для FTK35N03PDFN56

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK35N03PDFN56 даташит

 2.1. Size:586K  first silicon
 ftk35n03pdfn33.pdf pdf_icon

FTK35N03PDFN56

SEMICONDUCTOR FTK35N03PDFN33 TECHNICAL DATA N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION PDFN3.3 3.3-8L The FTK35N03PDFN33 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipation Fully char

 8.1. Size:668K  first silicon
 ftk35n33pdfn56.pdf pdf_icon

FTK35N03PDFN56

SEMICONDUCTOR FTK35N03PDFN56 TECHNICAL DATA N-Channel Power MOSFET PDFN5 6-8L DESCRIPTION The FTK35N03PDFN56 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipation Fully characte

Другие IGBT... FTK3404, FTK3407, FTK3407L, FTK3415, FTK3415L, FTK3439KD, FTK3443, FTK35N03PDFN33, IRFB4110, FTK3610, FTK3615, FTK3620, FTK3N80I, FTK3N80D, FTK3N80P, FTK3N80F, FTK4004