Справочник MOSFET. FTK35N03PDFN56

 

FTK35N03PDFN56 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK35N03PDFN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для FTK35N03PDFN56

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK35N03PDFN56 Datasheet (PDF)

 2.1. Size:586K  first silicon
 ftk35n03pdfn33.pdf pdf_icon

FTK35N03PDFN56

SEMICONDUCTORFTK35N03PDFN33TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFETDESCRIPTION PDFN3.33.3-8L The FTK35N03PDFN33 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipation Fully char

 8.1. Size:668K  first silicon
 ftk35n33pdfn56.pdf pdf_icon

FTK35N03PDFN56

SEMICONDUCTORFTK35N03PDFN56TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFETPDFN56-8L DESCRIPTION The FTK35N03PDFN56 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipation Fully characte

Другие MOSFET... FTK3404 , FTK3407 , FTK3407L , FTK3415 , FTK3415L , FTK3439KD , FTK3443 , FTK35N03PDFN33 , IRF640N , FTK3610 , FTK3615 , FTK3620 , FTK3N80I , FTK3N80D , FTK3N80P , FTK3N80F , FTK4004 .

History: IRF6637 | MS4N60C | AM4922N | IXTH22N50P | VS3615GE

 

 
Back to Top

 


 
.