Справочник MOSFET. FTK3610

 

FTK3610 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK3610
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK3610 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  first silicon
 ftk3610.pdf pdf_icon

FTK3610

SEMICONDUCTORFTK3610TECHNICAL DATADDESCRIPTION The FTF3610 uses advanced trench Gtechnology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in SPWM applications. Schematic diagram D D D D6 5GENERAL FEATURES 8 7 VDS = 30V,ID =11A 3610RDS(ON)

 8.1. Size:211K  first silicon
 ftk3615.pdf pdf_icon

FTK3610

SEMICONDUCTOR FTK3615 TECHNICAL DATADDESCRIPTION The FTK3615 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram D D D DGENERAL FEATURES 58 67 VDS = - 30V,ID = -10A 3615RDS(ON)

 9.1. Size:425K  first silicon
 ftk3620.pdf pdf_icon

FTK3610

SEMICONDUCTOR FTK3620TECHNICAL DATADESCRIPTION D 1D 2The FTK3620 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is G 1 G 2suitable for use as a load switch or in PWM applications. S 1 S 2Schematic diagram GENERAL FEATURES D 1 D 1 D 2 D 2 VDS = 30V,ID =7A 6 58 7RDS(ON)

Другие MOSFET... FTK3407 , FTK3407L , FTK3415 , FTK3415L , FTK3439KD , FTK3443 , FTK35N03PDFN33 , FTK35N03PDFN56 , IRF630 , FTK3615 , FTK3620 , FTK3N80I , FTK3N80D , FTK3N80P , FTK3N80F , FTK4004 , FTK4015D .

History: KNB3306B

 

 
Back to Top

 


 
.