IRF540N datasheet, аналоги, основные параметры
IRF540N - это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), один из самых распространённых в силовой электронике. Его часто применяют как ключ для включения/выключения нагрузки или для усиления сигналов по мощности.
Ключевые характеристики:
- Низкое сопротивление в открытом состоянии: всего около 44 миллиом (0,044 Ома) — значит, он меньше греется при больших токах.
- Высокий допустимый ток: выдерживает до 33 ампер.
- Рабочее напряжение: до 100 В между стоком и истоком.
- Управление: начинает открываться уже при 2-4 В на затворе, что позволяет легко управлять им от микроконтроллеров и логических схем (логический уровень).
Где пригодится:
- Драйверы моторов (например, в робототехнике, управлении двигателями).
- Импульсные блоки питания и преобразователи.
- Инверторы (преобразователи постоянного тока в переменный).
- Любые схемы, где требуется быстро и эффективно коммутировать большие токи.
Почему он популярен?
- Быстро переключается — снижает потери энергии в переходных режимах.
- Надёжный и устойчивый к перегреву при правильном использовании.
- Доступный и недорогой, легко найти в продаже.
Важный момент:
При работе с высокими токами или на высоких частотах обязательно нужен радиатор - без него транзистор может перегреться и выйти из строя. Также важно обеспечить качественное управление затвором, чтобы он быстро и полностью открывался/закрывался.
Наименование производителя: IRF540N 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRF540N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF540N даташит
..1. Size:153K international rectifier
irf540npbf.pdf 
PD - 94812 IRF540NPbF HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 44m Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 33A Lead-Free S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely l
..2. Size:99K international rectifier
irf540n.pdf 
PD - 91341B IRF540N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 100V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 44m G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 33A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistan
..3. Size:676K slkor
irf540ns irf540n.pdf 
IRF540N/NS 100V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) TO-263 Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking IRF540N TO-220 IRF540N IRF540NS TO-263 IRF540NS Absolute Maxim
..4. Size:661K cn evvo
irf540n.pdf 
R IRF540N N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Super Low Gate Charge Product Summary Excellent Cdv/dt effect decline Green Device Available Advanced high cell density Trench BVDSS RDSON ID technology 100V 47m 27A Description TO220 Pin Configuration The IRF540N is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for
..5. Size:817K cn vbsemi
irf540n.pdf 
IRF540N www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.032 at VGS = 10 V 45 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT D TO-220AB G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unl
..6. Size:942K cn minos
irf540n.pdf 
100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The IRF540N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Power switching application Hard switched and High frequency circuits Uninterruptible power supply KEY CHARACTERISTICS VDS = 100V,ID=35A RDS(ON)
..7. Size:242K inchange semiconductor
irf540npbf.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor IRF540NPBF FEATURES Drain Current I = 33A@ T =25 D C Static Drain-Source On-Resistance R = 44m (Max) DS(on) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switchi
..8. Size:244K inchange semiconductor
irf540n.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540N IIRF540N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.044 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY
0.1. Size:277K international rectifier
irf540ns irf540nl.pdf 
PD - 91342B IRF540NS IRF540NL l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating D l 175 C Operating Temperature VDSS = 100V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 44m Description G Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing ID = 33A S techniques to achieve extremely l
0.2. Size:125K international rectifier
irf540ns.pdf 
PD - 91342 IRF540NS IRF540NL Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating D 175 C Operating Temperature VDSS = 100V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 44m Description G Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing ID = 33A S techniques to achieve extremely low on-r
0.3. Size:279K international rectifier
irf540nlpbf irf540nspbf.pdf 
PD - 95130 IRF540NSPbF IRF540NLPbF l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating D l 175 C Operating Temperature VDSS = 100V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 44m l Lead-Free G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from ID = 33A International Rectifier utilize advanced processing S techniques to achi
0.4. Size:2432K kexin
irf540ns.pdf 
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET IRF540NS (KRF540NS) TO-263 Unit mm 9.65 (Min) 10.67 (Max) Features 5.33 (Min) VDS (V) = 100V 90 93 ID = 33 A (VGS = 10V) RDS(ON) 44m (VGS = 10V) 6.22 (min) Fast Switching 4.06 (Min) 4.83 (Max) 1.14 (Min) 1.40 (Max) 1.65 (max) D 1.27 1.78 1.14 1.40 0.43 0.63 G 1 Gate 0.51 0.99 2 Drain 2.54 3 Sour
0.5. Size:1657K cn vbsemi
irf540nstrpbf.pdf 
IRF540NSTRPBF www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 45 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT D D2PAK (TO-263) G D G S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C,
0.6. Size:255K inchange semiconductor
irf540nl.pdf 
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540NL FEATURES With To-262 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100
0.7. Size:257K inchange semiconductor
irf540ns.pdf 
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540NS FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt
Другие IGBT... IRF530NL, IRF530NS, IRF531, IRF532, IRF533, IRF540, IRF540A, IRF540FI, IRFB4227, IRF540NL, IRF540NS, IRF541, IRF542, IRF543, IRF550A, IRF610, IRF610A
