Справочник MOSFET. WNM4002

 

WNM4002 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WNM4002
   Маркировка: N3*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT523

 Аналог (замена) для WNM4002

 

 

WNM4002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  willsemi
 wnm4002.pdf

WNM4002 WNM4002

WNM4002WNM4002Small Signal N-Channel, 20V, 0.3A, MOSFET Http://www.willsemi.com Top V(BR)DSS RDS(on) Typ.D31.4 @ 4.5V 20 V 2.2 @ 2.5V1 23.8 @ 1.8VG SSOT-523 DescriptionsD3The WNM4002 is the N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is

 8.1. Size:179K  willsemi
 wnm4006.pdf

WNM4002 WNM4002

WNM4006WNM4006Http://www.sh-willsemi.com Single N-Channel, 45V, 1.7A, Power MOSFET VDS (V) Rds(on) ( )0.126@ VGS=10V0.142@ VGS=4.5V 450.147@ VGS=4.0V 0.208@ VGS=2.5V SOT-23 DescriptionsDThe WNM4006 is N-Channel enhancement MOS 3Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is su

 8.2. Size:113K  willsemi
 wnm4001.pdf

WNM4002 WNM4002

WNM4001WNM4001Small Signal N-Channel, 20V, 0.5A, MOSFET Http://www.willsemi.com Top V(BR)DSS RDS(on) Max. ID MAX D30.7 @ 4.5V 0.5A20 V 0.85 @ 2.5V 0.3A 1 21.25 @ 1.8V 0.1A G SSOT-523 DescriptionsD3The WNM4001 is the N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge

 8.3. Size:86K  tysemi
 wnm4006.pdf

WNM4002 WNM4002

Product specificationWNM4006Single N-Channel, 45V, 1.7A, Power MOSFET VDS (V) Rds(on) ( )0.126@ VGS=10V0.142@ VGS=4.5V 450.147@ VGS=4.0V 0.208@ VGS=2.5V SOT-23 DescriptionsD3The WNM4006 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON)with low gate charge. This device is suitable for use

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: KNB2710A

 

 
Back to Top