WNM6001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNM6001

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WNM6001

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM6001 даташит

 ..1. Size:1851K  willsemi
 wnm6001.pdf pdf_icon

WNM6001

WNM6001 WNM6001 Single N-Channel, 60V, 0.50A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating 2000V HBM SOT-23 Descriptions The WNM6001 is N-Channel enhancement D MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench 3 technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable

 0.1. Size:579K  cn yenji elec
 ywnm6001.pdf pdf_icon

WNM6001

YWNM6001 SOT-23 Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N Channel 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. ESD Protected 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

 8.1. Size:2717K  willsemi
 wnm6002.pdf pdf_icon

WNM6001

WNM6002 W 2 WNM6002 Single N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) D 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating 2000V HBM S G Descriptions SOT-323 The WNM6 is N-C enhancement M Field 6002 Channel MOS D Effect Transistor. Uses trench techn s advanced t nology and 3 design to provide excellent RDS(ON) with low ga ate cha

Другие IGBT... WNM3008, WNM3011, WNM3013, WNM3017, WNM4001, WNM4002, WNM4006, WNM4153, 60N06, WNMD2153, WNMD2154, WNMD2158, WNMD2160, WNMD2162, WNMD2165, WNMD2166, WNMD2168