2N7080 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N7080
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO254
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2N7080 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2N7072 , 2N7073 , 2N7074 , 2N7075 , 2N7076 , 2N7077 , 2N7078 , 2N7079 , AON7506 , 2N7081 , 2N7082 , 2N7085 , 2N7086 , 2N7100 , 2N7101 , 2N7102 , 2N7103 .
History: AOB462L
History: AOB462L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560