Справочник MOSFET. WPM4801

 

WPM4801 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WPM4801
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOP8P
 

 Аналог (замена) для WPM4801

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WPM4801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:857K  willsemi
 wpm4801.pdf pdf_icon

WPM4801

WPM4801WPM4801P-Channel Enhancement Mode MOSFET www.willsemi.comDescriptionThe WPM4801is the Dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using PIN CONNECTIONShigh cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to 1S1 8 D1minimize on-state resistance. G1 D1These devices are particularly s

 8.1. Size:764K  willsemi
 wpm4803.pdf pdf_icon

WPM4801

WPM4803WPM4803P-Channel Enhancement Mode MOSFET DescriptionThe WPM4803 is the Dual P-Channel logic enhancement www.willsemi.commode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. PIN CONNECTIONS These devices are particularly suited for low volt

Другие MOSFET... WPM2065 , WPM2341 , WPM2341A , WPM3004 , WPM3005 , WPM3012 , WPM3401 , WPM3407 , 8205A , WPM4803 , WPM5001 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 .

History: WNM2023 | NTZD3155CT1G

 

 
Back to Top

 


 
.