MGSF1N03LT1G - аналоги и даташиты транзистора

 

MGSF1N03LT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MGSF1N03LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для MGSF1N03LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MGSF1N03LT1G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:125K  motorola
 mgsf1n03lt1rev4.pdf pdf_icon

MGSF1N03LT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1N03LT1/DMGSF1N03LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single N-ChannelNCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola

 3.2. Size:69K  onsemi
 mgsf1n03lt1.pdf pdf_icon

MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1Preferred DevicePower MOSFET30 V, 2.1 A, Single N-Channel, SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry. Typicalhttp://onsemi.comhttp://onsemi.comapplications are dc-dc converters and power management in portableand battery-power

 5.1. Size:127K  onsemi
 mgsf1n03l mvgsf1n03l.pdf pdf_icon

MGSF1N03LT1G

MGSF1N03L, MVGSF1N03LMOSFET Single,N-Channel, SOT-2330 V, 2.1 AThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices idealwww.onsemi.comfor use in space sensitive power management circuitry. Typicalapplications are dc-dc converters and power management in portableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXand battery-powered

 5.2. Size:109K  tysemi
 mgsf1n03l mvgsf1n03l.pdf pdf_icon

MGSF1N03LT1G

Product specificationMGSF1N03L, MVGSF1N03LPower MOSFETV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX30 V, 2.1 A, Single N-Channel, SOT-2380 mW @ 10 V30 V 2.1 AThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure125 mW @ 4.5 Vminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry. TypicalN-Channelapplications are dc-dc con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSS806N , DMG2307L , DMG3401LSN , DMG3407SSN , DMN2041L , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , 10N65 , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , PMV33UPE , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN .

 

 
Back to Top

 


 
.