VBA1158N - описание и поиск аналогов

 

VBA1158N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA1158N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA1158N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA1158N даташит

 ..1. Size:469K  cn vbsemi
vba1158n.pdfpdf_icon

VBA1158N

VBA1158N www.VBsemi.com N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses 150 23 nC 0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D APPLICATIONS SO

 9.1. Size:128K  onsemi
nsvba114ydxv6t1g.pdfpdf_icon

VBA1158N

MUN5114DW1, NSBA114YDXV6, NSBA114YDP6 Dual PNP Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 47 kW PIN CONNECTIONS PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single R1 R2 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 9.2. Size:89K  onsemi
nsvba114edxv6t1g.pdfpdf_icon

VBA1158N

MUN5111DW1, NSBA114EDXV6, NSBA114EDP6 Dual PNP Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 10 kW PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 9.3. Size:879K  cn vbsemi
vba1101m.pdfpdf_icon

VBA1158N

VBA1101M www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) 100 % UIS Tested ID (A)d Qg (Typ.) 0.124 at VGS = 10 V 4.2 100 4.6 nC 0.128 at VGS = 4.5 V APPLICATIONS 3.9 High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TV SO-8 D S D 1 8 S D 2 7 D S 3 6 G G D 4 5 Top View S N-Ch

Другие MOSFET... CS13N50FA9R , CS5N60A8H , VBA2216 , CS15N50A8R , CS15N50FA9R , VBA1328 , CS16N60FA9H , VBA1104N , IRF540N , VBA1101M , CS5N60A4H , CS55N06A4 , VB2355 , VB264K , VB1695 , VB2103K , SI2318CDS-T1-GE3 .

History: BSZ017NE2LS5I | MTP3055V | 2SJ328-Z | STD85N3LH5 | STF2LN60K3 | AP8600MT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.