NDS9945-NL - описание и поиск аналогов

 

NDS9945-NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDS9945-NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для NDS9945-NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDS9945-NL даташит

 ..1. Size:915K  cn vbsemi
nds9945-nl.pdfpdf_icon

NDS9945-NL

NDS9945-NL www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Chann

 7.1. Size:77K  fairchild semi
nds9945.pdfpdf_icon

NDS9945-NL

May 1998 NDS9945 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect 3.5 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100 @ VGS = 10 V, transistors are produced using Fairchild's proprietary, high RDS(ON) = 0.200 @ VGS = 4.5 V. cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to

 8.1. Size:258K  fairchild semi
nds9948.pdfpdf_icon

NDS9945-NL

January 2010 NDS9948 Dual 60V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 2.3 A, 60 V RDS(ON) = 250 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench RDS(ON) = 500 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide

 8.2. Size:141K  fairchild semi
nds9947.pdfpdf_icon

NDS9945-NL

May 2002 NDS9947 Dual 20V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 3.5 A, 20 V RDS(ON) = 100 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench RDS(ON) = 190 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide ra

Другие MOSFET... VB5222 , CS3N90A3H1-G , RTR025N05T , RYU002N05T306 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G , NTD25P03LG , IRFZ24N , NCE6602 , NDF02N60ZG , CS3R50A4 , NTR4503NT1G , CS40N20A8 , CS40N20ANH , CS40N20FA9E , CS40N20FA9H .

History: 3N80L-TN3-R | 2SK443

 

 

 

 

↑ Back to Top
.