Справочник MOSFET. CS5N20A3

 

CS5N20A3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS5N20A3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CS5N20A3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5N20A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:621K  wuxi china
 cs5n20a3.pdf pdf_icon

CS5N20A3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20 A3 General Description VDSS 200 V CS5N20 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 7.1. Size:739K  wuxi china
 cs5n20a4.pdf pdf_icon

CS5N20A3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20 A4 General Description VDSS 200 V CS5N20 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 8.1. Size:624K  crhj
 cs5n20 a3.pdf pdf_icon

CS5N20A3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20 A3 General Description VDSS 200 V CS5N20 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.2. Size:615K  crhj
 cs5n20 a4.pdf pdf_icon

CS5N20A3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20 A4 General Description VDSS 200 V CS5N20 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFD12N06RLES , CS4N80A3HD , CS50N20ANH , CS540A3 , CS540A4 , IRLTS2242TR , CS540AR , VB1240 , 10N60 , CS5N20A4 , CS5N20FA9 , NCE4688 , NCE3400A , NCE3404 , NCE40P05Y , CS16N65FA9H , SI9424DY-T1-E3 .

History: STL10N60M2 | RU30110M | APM6055NU | SRC60R017FBT4G | WMM15N65F2 | 2SK4227JS | FDP023N08B

 

 
Back to Top

 


 
.