SI4559EY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI4559EY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для SI4559EY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4559EY даташит
si4559ey.pdf
Si4559EY Vishay Siliconix N- and P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.055 at VGS = 10 V 4.5 N-Channel 60 TrenchFET Power MOSFETs 0.075 at VGS = 4.5 V 3.9 175 C Maximum Junction Temperature 0.120 at VGS = - 10 V 3.1 Compliant to RoHS Direct
si4559ey.pdf
SI4559EY www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS
si4559ady.pdf
Si4559ADY Vishay Siliconix N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.058 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.072 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.120 at VGS = - 10 V - 3.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.150
si4554dy.pdf
Si4554DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 40 0.026 at VGS = 8 V 8e 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.027 at VGS = 4.5 V 8 0.027
Другие MOSFET... CS6N60A4H , NTMS4177PR , CS6N60A7H , CS6N60A8H , CS6N60FA9H , CS6N60FA9H-G , UT3N06G-AE3 , CS6N70A3D1-G , IRFB3607 , CS6N70A3H , SI4922BDY , CS6N70A8D , CS6N70B3D1-G , CS6N70CRHD , SI4946BEY-T1 , CS6N70FA9H , SMC3407S .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a






