CS6N90A8H - описание и поиск аналогов

 

CS6N90A8H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS6N90A8H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для CS6N90A8H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6N90A8H даташит

 7.1. Size:609K  wuxi china
cs6n90arh-g.pdfpdf_icon

CS6N90A8H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N90 ARH-G General Description VDSS 900 V CS6N90 ARH-G, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 48 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.85 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 8.1. Size:1185K  jilin sino
jcs6n90fa jcs6n90ba jcs6n90sa jcs6n90ca jcs6n90gda.pdfpdf_icon

CS6N90A8H

N R N-CHANNEL MOSFET JCS6N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6.0 A VDSS 900 V Rdson Vgs=10V 3.0 -MAX Qg-Typ 24.0nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

 8.2. Size:1374K  jilin sino
jcs6n90ch jcs6n90fh jcs6n90b.pdfpdf_icon

CS6N90A8H

N R N-CHANNEL MOSFET JCS6N90H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6 A VDSS 900 V Rdson-max 3.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP

 8.3. Size:424K  crhj
cs6n90f a9h.pdfpdf_icon

CS6N90A8H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N90F A9H General Description VDSS 900 V CS6N90F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 6 A PD(TC=25 ) 48 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 1.85 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

Другие MOSFET... CS6N70CRHD , SI4946BEY-T1 , CS6N70FA9H , SMC3407S , CS6N80A0H , SI9945AEY-T1-E3 , SI9945BDY-T1 , SI9945DY , IRF1407 , NCE2305A , NCE3007S , MTD6P10ET4 , MMSF7P03HDR2G , CS730A8H , SPN3400S23RG , CS730FA9H , CS730FA9RD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.