Справочник MOSFET. SI4850DY-T1

 

SI4850DY-T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4850DY-T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI4850DY-T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4850DY-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:852K  cn vbsemi
 si4850dy-t1.pdf pdf_icon

SI4850DY-T1

SI4850DY-T1www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = 10 V 7.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.030 at VGS = 4.5 V 6.5Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CCF

 8.1. Size:289K  vishay
 si4850bdy.pdf pdf_icon

SI4850DY-T1

Si4850BDYwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 5D 6 100 % Rg and UIS testedD 7 Material categorization:8for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999124APPLICATIONS DG33 Synchronous rectification SS22SS11 Primary side switchS

 8.2. Size:243K  vishay
 si4850ey.pdf pdf_icon

SI4850DY-T1

Si4850EYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.022 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFETs600.031 at VGS = 4.5 V 7.2 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8 SD1 8 SD2 7

 8.3. Size:246K  vishay
 si4850ey-t1 si4850ey.pdf pdf_icon

SI4850DY-T1

Si4850EYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.022 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFETs600.031 at VGS = 4.5 V 7.2 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8 SD1 8 SD2 7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM3K335 , CS7N65A3R , SQ2348ES-T1 , CS7N65A4R , STD2NB60T4 , CS7N65FA9R , SI4848DY-T1 , SI4848DY-T1-E3 , EMB04N03H , CS7N80FA9 , ST2315S23R , ST2341S23R , STB60N06-14 , STC5NF20V , SM4305PSKC , SM4307PSKC-TRG , SQ9945BEY-T1-GE3 .

History: WMK13N65EM | IRLR3636PBF | HM2310 | IRLR3114ZPBF

 

 
Back to Top

 


 
.