Справочник MOSFET. 2SJ302-ZJ

 

2SJ302-ZJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ302-ZJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 2SJ302-ZJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ302-ZJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1885K  kexin
2sj302-zj.pdfpdf_icon

2SJ302-ZJ

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ302-ZJ Features VDS (V) =-60V ID =-16 A RDS(ON) 100m (VGS =-10V) RDS(ON) 240m (VGS =-4V) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -60V Gate-Source Voltage VGS -20,+10 Continuous Drain Current ID -16A Pulsed Drain Current (Note.1) IDM -64 Power Dissi

 6.1. Size:442K  nec
2sj302-z.pdfpdf_icon

2SJ302-ZJ

 8.1. Size:440K  nec
2sj302.pdfpdf_icon

2SJ302-ZJ

 9.1. Size:335K  toshiba
2sj305.pdfpdf_icon

2SJ302-ZJ

2SJ305 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ305 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Applications High input impedance Low gate threshold voltage.: V = -0.5~-1.5 V th Excellent switching times.: t = 0.06 s (typ.) ont = 0.15 s (typ.) off Low drain-source ON resistance: R = 2.4 (typ.) DS (ON) Small packa

Другие MOSFET... KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , SI9926BDY , SI9926DY , 2SJ130S , 2SJ213 , IRFP250 , 2SJ356 , 2SJ492-ZJ , 2SJ599-Z , 2SJ600-Z , 2SJ602-ZJ , 2SJ603-ZJ , 2SJ604-ZJ , 2SJ605-ZJ .

History: WPM1488 | WML22N50C4 | FQB47P06TMAM002

 

 
Back to Top

 


 
.