Справочник MOSFET. NTMS10P02R2

 

NTMS10P02R2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMS10P02R2
   Маркировка: 10P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для NTMS10P02R2

 

 

NTMS10P02R2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  onsemi
 ntms10p02r2.pdf

NTMS10P02R2 NTMS10P02R2

NTMS10P02R2Power MOSFET-10 Amps, -20 VoltsP-Channel Enhancement-ModeSingle SOIC-8 PackageFeatureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life-10 AMPERES Logic Level Gate Drive-20 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package14 mW @ VGS = -4.5 V Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryP-Channel Avalanche Energy Spec

 ..2. Size:175K  onsemi
 ntms10p02r2 ntms10p02r2g.pdf

NTMS10P02R2 NTMS10P02R2

NTMS10P02R2Power MOSFET-10 Amps, -20 VoltsP-Channel Enhancement-ModeSingle SOIC-8 PackageFeatureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life-10 AMPERES Logic Level Gate Drive-20 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package14 mW @ VGS = -4.5 V Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryP-Channel Avalanche Energy Spec

 ..3. Size:1661K  kexin
 ntms10p02r2.pdf

NTMS10P02R2 NTMS10P02R2

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETNTMS10P02R2 (KTMS10P02R2)SOP-8 Features VDS (V) =-20V ID =-10 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 14 m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 20m (VGS =-2.5V) Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery 1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 SourceD8 Drain4 GateGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter S

 0.1. Size:898K  cn vbsemi
 ntms10p02r2g.pdf

NTMS10P02R2 NTMS10P02R2

NTMS10P02R2Gwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top