NTMS10P02R2 - описание и поиск аналогов

 

NTMS10P02R2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMS10P02R2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для NTMS10P02R2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMS10P02R2 даташит

 ..1. Size:175K  onsemi
ntms10p02r2.pdfpdf_icon

NTMS10P02R2

NTMS10P02R2 Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P-Channel Enhancement-Mode Single SOIC-8 Package Features http //onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life -10 AMPERES Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package 14 mW @ VGS = -4.5 V Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery P-Channel Avalanche Energy Spec

 ..2. Size:175K  onsemi
ntms10p02r2 ntms10p02r2g.pdfpdf_icon

NTMS10P02R2

NTMS10P02R2 Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P-Channel Enhancement-Mode Single SOIC-8 Package Features http //onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life -10 AMPERES Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Miniature SOIC-8 Surface Mount Package 14 mW @ VGS = -4.5 V Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery P-Channel Avalanche Energy Spec

 ..3. Size:1661K  kexin
ntms10p02r2.pdfpdf_icon

NTMS10P02R2

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET NTMS10P02R2 (KTMS10P02R2) SOP-8 Features VDS (V) =-20V ID =-10 A (VGS =-10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 14 m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 20m (VGS =-2.5V) Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source D 8 Drain 4 Gate G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter S

 0.1. Size:898K  cn vbsemi
ntms10p02r2g.pdfpdf_icon

NTMS10P02R2

NTMS10P02R2G www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition a 0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 13 a 100 % Rg Tested 0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC - 10 Built in ESD Protection with Zener Diode 0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typi

Другие MOSFET... KO4407 , KX5P02 , KX5P04DY , KX6P02 , KX9435 , KXF2955 , NDT12P20 , NDT40P04 , IRF730 , NTR4101P , SI2301BDS , IXFP18N65X2 , SI2303BDS , SI2303DS , SI2305DS , SI2307BDS , SI2307DS .

History: BR20N40 | APTM100DA18CT1G | KTK921U | 35N06 | SM6128NSK | WMN80R160S | AOC3870

 

 

 

 

↑ Back to Top
.