SM2210NSQG - описание и поиск аналогов

 

SM2210NSQG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM2210NSQG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2A-6

Аналог (замена) для SM2210NSQG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2210NSQG даташит

 ..1. Size:258K  sino
 sm2210nsqg.pdf pdf_icon

SM2210NSQG

SM2210NSQG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S D 12V/12A, D D RDS(ON) = 4.3m (max.) @ VGS =4.5V RDS(ON) = 5.6m (max.) @ VGS =2.5V G S Pin 1 D D 100% UIS + Rg Tested DFN2x2A-6_EP Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6) DDDD (RoHS Compliant) Applications (3)G Battery Management Application. Power Management Fu

 9.1. Size:182K  sino
 sm2217psqg.pdf pdf_icon

SM2210NSQG

SM2217PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-9.9A, S D RDS(ON) = 17m (max.) @ VGS =-4.5V D D RDS(ON) = 25m (max.) @ VGS =-2.5V RDS(ON) = 40m (max.) @ VGS =-1.8V G S Pin 1 D D Reliable and Rugged DFN2x2-6 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) (1,2,5,6) DDDD HBM ESD protection level pass 2KV Note The diode connec

 9.2. Size:181K  sino
 sm2213psqg.pdf pdf_icon

SM2210NSQG

SM2213PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -8V/-9.4A, S D D RDS(ON) = 19m (max.) @ VGS =-4.5V D RDS(ON) = 24m (max.) @ VGS =-2.5V G S RDS(ON) = 33m (max.) @ VGS =-1.8V Pin 1 D D RDS(ON) = 45m (max.) @ VGS =-1.5V DFN2x2-6 RDS(ON) = 90m (max.) @ VGS =-1.2V Reliable and Rugged (1,2,5,6) DD DD Lead Free and Green Devices Available (RoH

 9.3. Size:181K  sino
 sm2215psqg.pdf pdf_icon

SM2210NSQG

SM2215PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S D -20V/-9.4A, D D RDS(ON) = 19m (max.) @ VGS =-4.5V RDS(ON) = 27m (max.) @ VGS =-2.5V G S Pin 1 D D RDS(ON) = 45m (max.) @ VGS =-1.8V Super High Dense Cell Design DFN2x2-6 Reliable and Rugged (1,2,5,6) DD DD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications (3)G Powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SM4502NHKP , SM4503NHKP , SM4504NHKP , SM4506NHKP , SM2203NSQG , SM2204NSQG , SM2206NSQG , SM2208NSQG , IRFB31N20D , SM2225NSQG , SM2260NSQG , SM2290NSQG , SM2320NSA , SM2326NSAN , SM2360NSA , SM2370NSA , SM2404NSAN .

History: 2SK792 | AOB600A70FL | WMK10N80M3 | AOB2904 | 3N80L-TA3-T | AO3403A | VS3622DP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.