SM2360NSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM2360NSA
Маркировка: A60*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.7 nC
Время нарастания (tr): 7.2 ns
Выходная емкость (Cd): 29 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.104 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SM2360NSA Datasheet (PDF)
sm2360nsa.pdf
SM2360NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/2.7A ,DRDS(ON)=104m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=130m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-3(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in DC/AC Inverer Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationSM2360NS Packa
sm2363psa.pdf
SM2363PSAP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -60V/-1.8A,DRDS(ON)= 225m (max.) @ VGS=-10VRDS(ON)= 300m (max.) @ VGS=-4.5VS ESD ProtectionG 100% UIS+Rg TestedTop View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in DC/DC Converter. Load switch.SP-Channel MOSFET
gsm2367as.pdf
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367AS, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.5A,RDS(ON)=98m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.2A,RDS(ON)=130m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell
gsm2367s.pdf
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367S, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=65m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=80m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell d
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
