MXP1015AT. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MXP1015AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 317 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для MXP1015AT
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MXP1015AT даташит
mxp1015at.pdf
MXP1015AT 100V N-Channel MOSFET Applications Uninterruptible Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID High Speed Power Switching 100V 15m 82A High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Ruggedness Ordering Information Park Number
mxp1018ct.pdf
MXP1018CT Datasheet 100V N-Channel MOSFET Applications Power Supply VDSS RDS(ON) (Max) IDa DC-DC Converters 100 V 18 m 76 Features LeadFree Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP1018 TO220 MXP Absolute Maximum Ratings Tc=2
mxp1006at.pdf
MXP1006AT 100V N-Channel MOSFET Applications Uninterruptible Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID High Speed Power Switching 100V 6m 155A High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Ruggedness Ordering Information Park Number
mxp1008at.pdf
MXP1008AT 100V N-Channel MOSFET Applications Uninterruptible Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID High Speed Power Switching 100V 8m 115A High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Ruggedness Ordering Information Park Number
Другие MOSFET... SM3319NSQG , SM3317NSQA , SM3317NSQG , SM3316NSQA , SM3316NSQG , MXP1006AT , MXP1007AT , MXP1008AT , IRFB4110 , MXP43P9AD , MXP43P9AE , MXP43P9AF , MXP43P9AT , MXP65D7AQ , MXP65D7AT , MXP8004AT , MXP84D7AT .
History: TMAN11N90Z | SSC8033GS6 | CS120N08A8 | SM3335PSQG | 2SK1915 | 2SK596S-B
History: TMAN11N90Z | SSC8033GS6 | CS120N08A8 | SM3335PSQG | 2SK1915 | 2SK596S-B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907





