Справочник MOSFET. SM2309PSA

 

SM2309PSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM2309PSA
   Маркировка: B09*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SM2309PSA

 

 

SM2309PSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  sino
 sm2309psa.pdf

SM2309PSA SM2309PSA

SM2309PSAP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-3.1A,DRDS(ON) = 95m (max.) @ VGS =-10VSRDS(ON) = 150m (max.) @ VGS =-4.5VG Reliable and RuggedTop View of SOT-23-3 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DGApplications Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery PoweredSSystems.P-Channel MO

 8.1. Size:881K  globaltech semi
 gsm2309a.pdf

SM2309PSA SM2309PSA

GSM2309A 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2309A, P-Channel enhancement mode -60V/-1.8A,RDS(ON)=305m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench -60V/-1.6A,RDS(ON)=320m@VGS=-4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low Super high density cell design for gate charge. extremely low RDS (ON) Exceptional on-resistance and maxim

 8.2. Size:881K  globaltech semi
 gsm2309.pdf

SM2309PSA SM2309PSA

GSM2309 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2309, P-Channel enhancement mode -60V/-1.8A,RDS(ON)=305m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench -60V/-1.4A,RDS(ON)=320m@VGS=-4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low Super high density cell design for gate charge. extremely low RDS (ON) Exceptional on-resistance and maximum

 8.3. Size:307K  silicon standard
 ssm2309gn.pdf

SM2309PSA SM2309PSA

SSM2309GNP-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS -30VDSimple drive requirement R 75mDS(ON)Fast switching ID -3.7AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONDThe SSM2309GN is in a SOT-23-3 package, which is widely used for lowerpower commercial and industrial surface mount applications. It is well suitedSfor low voltage applications such as DC/DC c

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SM2416NSAN

 

 
Back to Top