Справочник MOSFET. SSM70T03J

 

SSM70T03J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM70T03J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM70T03J Datasheet (PDF)

 6.1. Size:333K  silicon standard
 ssm70t03h-j.pdf pdf_icon

SSM70T03J

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 6.2. Size:620K  silicon standard
 ssm70t03gh ssm70t03gj.pdf pdf_icon

SSM70T03J

SSM70T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM70T03 acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 9msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 60AD The SSM70T03GH is in a TO-252 package, which isPb-free; RoHS-

 9.1. Size:792K  silicon standard
 ssm7002egu.pdf pdf_icon

SSM70T03J

SSM7002EGUN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM7002EGU acheives fast switching performanceBVDSS50Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 3is suitable for low voltage applications such as smallconverters and general load-switching circuits.ID 250mAThe SSM7002EGU is supplied in a RoHS-compliantPb-free; RoHS-

 9.2. Size:495K  silicon standard
 ssm7002kgen.pdf pdf_icon

SSM70T03J

SSM7002KGENN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM7002KGEN acheives fast switching performanceBVDSS 60Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 2is suitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 640mAD The SSM7002KGEN is supplied in an RoHS-compliantPb-free; R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HCP65R110 | IRLB4132PBF | 12N80G-TC3-T | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.