IRFD123 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFD123
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: HEXDIP
Аналог (замена) для IRFD123
IRFD123 Datasheet (PDF)
irfd123.pdf

PD - 97015IRFD12306/09/05Document Number: 90161 www.vishay.com1IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com2IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com3IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com4IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com5IRFD123Document Number: 90161 www.vishay.com6IRFD123Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Lay
irfd123 sihfd123.pdf

IRFD123, SiHFD123Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par
irfd123pbf.pdf

IRFD123, SiHFD123Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 16COMPLIANT End StackableQgs (nC) 4.4Qgd (nC) 7.7 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast SwitchingD Ease of Par
irfd120pbf.pdf

PD- 95928IRFD120PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91128 www.vishay.com1IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com2IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com3IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com4IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com5IRFD120PbFDocument Number: 91128 www.vishay.com6IRFD120PbFPeak Diode Recovery
Другие MOSFET... RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , STP75NF75 , SIHFD123 , 2SK1202 , IPD06N03LA , IPU06N03LA , IPS06N03LA , IPF06N03LA , IXFT50N50P3 , IXFQ50N50P3 .
History: IRLL2705 | FDA24N40F | NTE4151P | NTD6415ANL | G66 | NTF2955 | FRE260H
History: IRLL2705 | FDA24N40F | NTE4151P | NTD6415ANL | G66 | NTF2955 | FRE260H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor