PHD55N03LTA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PHD55N03LTA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для PHD55N03LTA
PHD55N03LTA даташит
php55n03lta phb55n03lta phd55n03lta.pdf
PHP55N03LTA;PHB55N03LTA; PHD55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 2 August 2001 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP55N03LTA in a SOT78 (TO-220AB) PHB55N03LTA in a SOT404 (D2-PAK) PHD55N03LTA in a SOT428 (D-PAK). 2. Features Low
phb55n03lt phd55n03lt php55n03lt 6.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP55N03LT, PHB55N03LT Logic level FET PHD55N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 55 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 14 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 18 m (VGS
phd55n03.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor PHD55N03 FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta
Другие MOSFET... JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , NTE458 , PHB55N03LTA , RFP50N06 , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M , TSP8N60M .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772


