Справочник MOSFET. 2SK3607-01MR

 

2SK3607-01MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3607-01MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для 2SK3607-01MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3607-01MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  fuji
 2sk3607-01mr.pdf pdf_icon

2SK3607-01MR

2SK3607-01MR200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings (mm)FeaturesTO-220FHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C un

 ..2. Size:279K  inchange semiconductor
 2sk3607-01mr.pdf pdf_icon

2SK3607-01MR

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3607-01MRFEATURESDrain Current : I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 170m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

 8.1. Size:68K  renesas
 2sk360.pdf pdf_icon

2SK3607-01MR

2SK360 Silicon N-Channel MOS FET REJ03G0811-0200 (Previous ADE-208-1170) Rev.2.00 Aug.10.2005 Application VHF amplifier Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK) 1. Gate32. Drain3. Source12Rev.2.00, Aug 10.2005, page 1 of 5 2SK360 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDSX*1 20 VG

 8.2. Size:97K  fuji
 2sk3601-01.pdf pdf_icon

2SK3607-01MR

2SK3601-01200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline Drawings (mm)Super FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicFoot Print PatternAbsolute maximum ratings

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , HFU70N03V , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , IRFP260 , AO4472 , AON6324 , SD2932 , STK1820F , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T .

History: NCEP023N85D | AO4900 | NDB7060L | 2SK981A | HYG025N04NA1C2 | SSM5H90ATU | NP75P03YDG

 

 
Back to Top

 


 
.