AOD410 - описание и поиск аналогов

 

AOD410. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AOD410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD410 даташит

 ..1. Size:238K  aosemi
aod410.pdfpdf_icon

AOD410

AOD410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD410 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = 8A (VGS = 10V) device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

 ..2. Size:841K  cn vbsemi
aod410.pdfpdf_icon

AOD410

AOD410 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUT

 0.1. Size:291K  aosemi
aod4102.pdfpdf_icon

AOD410

AOD4102/AOI4102 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AOD4102/AOI4102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with ID (at VGS=10V) 19A low gate charge. This device is suitable for use in PWM, RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:116K  aosemi
aod4100.pdfpdf_icon

AOD410

AOD4100 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD4100 uses advanced trench technology to VDS (V) = 25V provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and ID = 50A (VGS = 10V) body diode characteristics. This device is ideally suite RDS(ON)

Другие MOSFET... AO8806 , AO8816 , AO8842 , AOD400 , AOD402 , AOD404 , AOD406 , AOD408 , IRF520 , AOB10N60L , AOB11S60L , AOB11S65L , AOB12N50L , AOB15S60L , AOB15S65L , AOB20S60L , AOB25S65L .

History: 2SK293 | NTMFS4C09N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.