AOD4106. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AOD4106
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 642 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AOD4106
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOD4106 даташит
aod4106.pdf
AOD4106 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD4106 uses advanced trench technology to VDS (V) = 25V provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID = 50A (VGS = 20V) suitable for use as a low side switch in SMPS and RDS(ON)
aod410.pdf
AOD410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD410 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = 8A (VGS = 10V) device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)
aod4102.pdf
AOD4102/AOI4102 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AOD4102/AOI4102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with ID (at VGS=10V) 19A low gate charge. This device is suitable for use in PWM, RDS(ON) (at VGS=10V)
aod4100.pdf
AOD4100 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD4100 uses advanced trench technology to VDS (V) = 25V provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and ID = 50A (VGS = 10V) body diode characteristics. This device is ideally suite RDS(ON)
Другие MOSFET... AOB27S60L , AOB418 , AOB482 , AOB4S60L , AOB7S60L , AOB7S65L , AOD4100 , AOD4104 , IRFB7545 , AOD4110 , AOD4112 , AOI1N60L , AOI472A , AOI518 , AOK18N65L , AOK20N60L , AOK20S60L .
History: SM1200NSAS | AOC2870 | SUD40N06-25L | DMG3401LSN | AOI518 | IRF8252 | AOC3870
History: SM1200NSAS | AOC2870 | SUD40N06-25L | DMG3401LSN | AOI518 | IRF8252 | AOC3870
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor






