AOI1N60L - описание и поиск аналогов

 

AOI1N60L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOI1N60L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm

Тип корпуса: TO251A

Аналог (замена) для AOI1N60L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI1N60L даташит

 ..1. Size:344K  aosemi
 aoi1n60l.pdf pdf_icon

AOI1N60L

AOD1N60/AOU1N60/AOI1N60 600V,1.3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD1N60 & AOU1N60 & AOI1N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET VDS 700V@150 process that is designed to deliver high levels of ID (at VGS=10V) 1.3A performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:344K  aosemi
 aoi1n60.pdf pdf_icon

AOI1N60L

AOD1N60/AOU1N60/AOI1N60 600V,1.3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD1N60 & AOU1N60 & AOI1N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET VDS 700V@150 process that is designed to deliver high levels of ID (at VGS=10V) 1.3A performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:1393K  aosemi
 aod1n60 aou1n60 aoi1n60.pdf pdf_icon

AOI1N60L

AOD1N60/AOU1N60/AOI1N60 600V,1.3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD1N60 & AOU1N60 & AOI1N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET VDS 700V@150 process that is designed to deliver high levels of ID (at VGS=10V) 1.3A performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:274K  inchange semiconductor
 aoi1n60.pdf pdf_icon

AOI1N60L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI1N60 FEATURES Drain Current I =1.3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOB4S60L , AOB7S60L , AOB7S65L , AOD4100 , AOD4104 , AOD4106 , AOD4110 , AOD4112 , EMB04N03H , AOI472A , AOI518 , AOK18N65L , AOK20N60L , AOK20S60L , AOK22N50L , AOK27S60L , AOK42S60L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.