AOD414 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOD414  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 638 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOD414

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD414 даташит

 ..1. Size:447K  aosemi
 aod414.pdf pdf_icon

AOD414

AOD414 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD414 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity ID = 85A (VGS = 10V) and body diode characteristics. This device is ideally RDS(ON)

 ..2. Size:838K  cn vbsemi
 aod414.pdf pdf_icon

AOD414

AOD414 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.002 at VGS = 10 V 100 30 72 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLU

 0.1. Size:358K  aosemi
 aod4146.pdf pdf_icon

AOD414

AOD4146/AOI4146 30V N-Channel MOSFET TM SDMOS General Description Product Summary 30V The AOD4146/AOI4146 is fabricated with SDMOSTM VDS ID (at VGS=10V) 55A trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:163K  aosemi
 aod4144.pdf pdf_icon

AOD414

AOD4144 N-Channel SDMOSTM Power Transistor General Description Features The AOD4144 is fabricated with SDMOSTM trench VDS (V) =30V technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with (VGS = 10V) ID = 55A controlled switching behavior. This universal technology (VGS = 10V) RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOL1428, AOL1436, AOL1444, AOL1446, AOL1704, AOU7S60, AOWF240, AOWF7S60, IRLZ44N, AOD4184, AOD4187, AOD4191L, AOD420, AOD448, AOD454, AOD456A, AOD460