Справочник MOSFET. 2SK2665

 

2SK2665 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2665
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 2SK2665

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2665 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  shindengen
2sk2665 f3s90hvx2.pdfpdf_icon

2SK2665

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2665Case : STO-220(Unit : mm)( F3S90HVX2 )900V 3AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching power supply

 8.1. Size:385K  toshiba
2sk2661.pdfpdf_icon

2SK2665

2SK2661 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSV) 2SK2661 Chopper Regulator, DCDC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drainsource ON resistance : RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancementmode : Vth = 2

 8.2. Size:414K  toshiba
2sk2662.pdfpdf_icon

2SK2665

2SK2662 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2662 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V =

 8.3. Size:23K  panasonic
2sk2660.pdfpdf_icon

2SK2665

Power F-MOS FETs 2SK7582SK2660(Tentative)Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features6.5 0.1 High-speed switching5.3 0.14.35 0.1 High drain-source voltage (VDSS)3.0 0.1 Applications High-speed switching1.0 0.10.85 0.1 0.75 0.1 0.5 0.14.6 0.1 0.05 to 0.15 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C)1 : Gate1 2 32 : DrainParameter Symbol Ratin

Другие MOSFET... 2SK1347 , 2SK1348 , 2SK1349 , 2SK1350 , 2SK1351 , 2SK1352 , 2SK1357 , 2SK2664 , IRF4905 , 2SK2666 , 2SK2667 , 2SK2669 , 2SK2670 , 2SK2672 , 2SK2673 , 2SK2676 , 2SK2677 .

History: AOB264L | SWP630A1 | NCE65N460D | NTD85N02R-1G | STW6N95K5 | AOD538 | AO8801A

 

 
Back to Top

 


 
.