IRF9540N datasheet, аналоги, основные параметры

IRF9540N - это P-канальный MOSFET, построенный по передовой технологии HEXFET. Это не просто переключатель, а высокоэффективный компонент для контроля питания при постоянном токе (DC).

Ключевые характеристики:
- Полярность: P-канальный. Управляется "в обратную сторону": для открытия напряжение на затворе должно быть ниже, чем на истоке.
- Эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии - всего 0,117 Ома. Это главный плюс данной модели: потери на нагрев минимальны, КПД высокий.
- Мощность: Работает с напряжением до 100В и может пропускать до 23 ампер - серьёзные параметры.
- Скорость: Быстро переключается, что важно для импульсных схем.
- Корпус: TO220, для крепления на радиатор.

Чем он лучше базовой версии (IRF9540)? Основное отличие - значительно более низкое сопротивление (0.117 Ом vs 0.2 Ом). Это означает:
- Ещё меньше потерь и нагрева при том же токе.
- Более высокий общий КПД системы.
- Возможность работать на чуть более высоких токах с тем же нагревом.

Основное применение:
- Ключи питания (Load Switches) в силовых цепях для включения/отключения нагрузки.
- DC-DC преобразователи (где ключ стоит в плюсовой шине).
- Драйверы моторов (в верхнем плече H-моста).
- Системы управления питанием (Power Management).

Преимущества для разработчика:
- Простота схемы драйвера: Чтобы его открыть, часто достаточно притянуть затвор к "земле" через простой транзистор.
- Надёжность: Обладает высокой лавинной стойкостью - хорошо переносит кратковременные выбросы и скачки напряжения в цепи.
- Проверенная эффективность: Сочетание низкого сопротивления и хорошего теплоотвода делает его надёжным решением.

Важные моменты при использовании:
- Не забывайте про радиатор! Несмотря на низкое сопротивление, при токах в 10-20 ампер нагрев всё равно будет существенным. Хороший теплоотвод - залог долгой работы.
- Правильная логика управления: Открывается при низком уровне на затворе (относительно истока), закрывается - при высоком.

Наименование производителя: IRF9540N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9540N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9540N даташит

 ..1. Size:922K  international rectifier
 irf9540npbf.pdf pdf_icon

IRF9540N

PD - 94790A IRF9540NPbF Lead-Free www.irf.com 1 01/23/04 IRF9540NPbF 2 www.irf.com IRF9540NPbF www.irf.com 3 IRF9540NPbF 4 www.irf.com IRF9540NPbF www.irf.com 5 IRF9540NPbF 6 www.irf.com IRF9540NPbF www.irf.com 7 IRF9540NPbF TO-220AB Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 10.54 (.415) - B - 3.78 (.149) 10.29 (.405) 2.87 (.113) 4.69 (.185)

 ..2. Size:125K  international rectifier
 irf9540n.pdf pdf_icon

IRF9540N

PD - 91437B IRF9540N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.117 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -23A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

 ..3. Size:273K  inchange semiconductor
 irf9540n.pdf pdf_icon

IRF9540N

INCHANGE Semiconductor isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9540N,IIRF9540N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.117 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Combine with the fast switching speed and ruggedized device design,provide the designer with an extr

 0.1. Size:823K  international rectifier
 auirf9540n.pdf pdf_icon

IRF9540N

PD - 97626 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF9540N Features l Advanced Planar Technology D l Dynamic dV/dT Rating V(BR)DSS -100V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) max. 0.117 G l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed ID -23A S up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified* D Description S Specifically designed for Automotive ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9530N, APT5015BLC, IRF9530NL, IRF9530NS, IRF9531, IRF9532, IRF9533, IRF9540, 50N06, IRF9540NL, IRF9540NS, IRF9541, IRF9542, IRF9543, IRF9610, IRF9610S, IRF9611