2SK3676-01S - описание и поиск аналогов

 

Аналоги 2SK3676-01S. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SK3676-01S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 2SK3676-01S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3676-01S даташит

 ..1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3676-01s.pdf pdf_icon

2SK3676-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3676-01S FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

 0.1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3676-01sj.pdf pdf_icon

2SK3676-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3676-01SJ FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and s

 4.1. Size:264K  fuji
 2sk3676-01l-01s-01sj.pdf pdf_icon

2SK3676-01S

2SK3676-01L,S,SJ 200304 FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings [mm] Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications P4 Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unl

 4.2. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3676-01l.pdf pdf_icon

2SK3676-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3676-01L FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK3526-01SJ , 2SK3527-01 , 2SK3528-01R , 2SK3529-01 , 2SK3531-01 , 2SK3539 , 2SK3675-01 , 2SK3676-01L , IRFP260N , 2SK3676-01SJ , 2SK3678-01 , 2SK3680-01 , 2SK3681-01 , 2SK3682-01 , 2SK3684-01L , 2SK3684-01S , 2SK3684-01SJ .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.