2SK3688-01SJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK3688-01SJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для 2SK3688-01SJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3688-01SJ даташит

 ..1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3688-01sj.pdf pdf_icon

2SK3688-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3688-01SJ FEATURES Drain Current I = 16A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.57 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and s

 3.1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3688-01s.pdf pdf_icon

2SK3688-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3688-01S FEATURES Drain Current I = 16A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.57 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

 4.1. Size:232K  fuji
 2sk3688-01l-01s-01sj.pdf pdf_icon

2SK3688-01SJ

2SK3688-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET 200509 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Features Outline Drawings [mm] High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power P4 Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unle

 4.2. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3688-01l.pdf pdf_icon

2SK3688-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3688-01L FEATURES Drain Current I = 16A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.57 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3682-01, 2SK3684-01L, 2SK3684-01S, 2SK3684-01SJ, 2SK3685-01, 2SK3686-01, 2SK3688-01L, 2SK3688-01S, IRF9540, 2SK3689-01, 2SK3690-01, 2SK3691-01MR, 2SK819, 2SK831, 2SK833, 2SK849, 2SK851