Справочник MOSFET. 2SK856

 

2SK856 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK856
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 2SK856

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK856 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  toshiba
2sk856.pdfpdf_icon

2SK856

 ..2. Size:198K  inchange semiconductor
2sk856.pdfpdf_icon

2SK856

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK856DESCRIPTIONDrain Current I =45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dr

 9.1. Size:57K  toshiba
2sk850.pdfpdf_icon

2SK856

 9.2. Size:121K  nec
2sk855.pdfpdf_icon

2SK856

Другие MOSFET... 2SK3691-01MR , 2SK819 , 2SK831 , 2SK833 , 2SK849 , 2SK851 , 2SK854 , 2SK855 , 2SK3568 , 2SK858 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 .

History: AO3415A | 2SK2162 | VBA1310S | BUK9M53-60E | STD86N3LH5 | DMN3018SSS-13

 

 
Back to Top

 


 
.