2SK856 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK856
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для 2SK856
2SK856 Datasheet (PDF)
2sk856.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK856DESCRIPTIONDrain Current I =45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dr
Другие MOSFET... 2SK3691-01MR , 2SK819 , 2SK831 , 2SK833 , 2SK849 , 2SK851 , 2SK854 , 2SK855 , AON7410 , 2SK858 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , 2SK870 .
History: WMN15N60C4 | WMQ048NV6LG4 | BSZ050N03MS | AOL1428A | AOK125A60 | JMTQ60N04B | BSS606N
History: WMN15N60C4 | WMQ048NV6LG4 | BSZ050N03MS | AOL1428A | AOK125A60 | JMTQ60N04B | BSS606N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet