Справочник MOSFET. 2SK3650-01SJ

 

2SK3650-01SJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3650-01SJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 2SK3650-01SJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3650-01SJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  inchange semiconductor
 2sk3650-01sj.pdf pdf_icon

2SK3650-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3650-01SJFEATURESDrain Current : I = 33A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

 3.1. Size:356K  inchange semiconductor
 2sk3650-01s.pdf pdf_icon

2SK3650-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3650-01SFEATURESDrain Current : I = 33A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

 4.1. Size:254K  fuji
 2sk3650-01l-s-sj.pdf pdf_icon

2SK3650-01SJ

2SK3650-01L,S,SJ200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline Drawings [mm]Super FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsP4Switching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unl

 4.2. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3650-01l.pdf pdf_icon

2SK3650-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3650-01LFEATURESDrain Current : I = 33A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK3646-01L , 2SK3646-01S , 2SK3646-01SJ , 2SK3647-01 , 2SK3648-01 , 2SK3649-01MR , 2SK3650-01L , 2SK3650-01S , IRF640N , 2SK3651-01R , 2SK1081-01 , 2SK1082-01 , 2SK1102-01MR , 2SK3882-01 , 2SK3883-01 , 2SK3884-01 , 2SK3885-01 .

 

 
Back to Top

 


 
.