Справочник MOSFET. 2SJ651

 

2SJ651 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ651
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для 2SJ651

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ651 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  sanyo
 2sj651.pdf pdf_icon

2SJ651

Ordering number : EN7501A 2SJ651P-Channel Silicon MOSFET2SJ651DC / DC Converter ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Avalanche resistance guarantee.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Curr

 9.1. Size:47K  sanyo
 2sj652.pdf pdf_icon

2SJ651

Ordering number : ENN76252SJ652P-Channl Silicon MOSFET2SJ652General-Purpose Switching Device ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Low ON-resistance.unit : mm Ultrahigh-speed switching.2063A 4V drive.[2SJ652] Motor drive, DC / DC converter.4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 31 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : SourceSpecifications2.

 9.2. Size:33K  sanyo
 2sj650.pdf pdf_icon

2SJ651

Ordering number : ENN75002SJ650P-Channl Silicon MOSFET2SJ650DC / DC Converter ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Low ON-resistance.unit : mm Ultrahigh-speed switching.2063A 4V drive.[2SJ650]4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 31 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : SourceSpecifications2.55 2.55SANYO : TO-220MLAbsolute Maximum Ratings

 9.3. Size:217K  sanyo
 2sj652-1e.pdf pdf_icon

2SJ651

2SJ652Ordering number : EN7625ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SJ652ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=28.5m (typ.) Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ174 , 2SJ687 , 2SJ687-ZK , 2SJ690 , 2V7002K , 2V7002L , 2V7002W , 2SJ650 , BS170 , 2SJ652-1E , 2SJ661-1E , 2SJ661-DL-1E , 2SJ661-DL-E , 2SJ673 , 2SJ683 , 2SJ176 , 2SJ177 .

History: HM20P02D | VBZM20P06 | IRF5NJ6215 | IPB70N04S4-06

 

 
Back to Top

 


 
.