AOC3860 - описание и поиск аналогов

 

AOC3860. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOC3860

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: ALPHADFN3.05X1.77

Аналог (замена) для AOC3860

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOC3860 даташит

 ..1. Size:684K  aosemi
aoc3860.pdfpdf_icon

AOC3860

AOC3860 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 0.1. Size:699K  aosemi
aoc3860a.pdfpdf_icon

AOC3860

AOC3860A 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 0.2. Size:766K  aosemi
aoc3860c.pdfpdf_icon

AOC3860

AOC3860C 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:469K  aosemi
aoc3864.pdfpdf_icon

AOC3860

AOC3864 20V Common-Drain Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VSS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 20V Low RSS(ON) Fully protected AlphaDFN package RSS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие MOSFET... AOB2146L , AOB2502L , AOB2904 , AOB2906 , AOB9N70L , AOC2804B , AOC2870 , AOC2874 , K3569 , AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P .

History: WMM14N70C4 | SM3303PSQG | STC6301D | SM2416NSAN | SM2307PSA | SM9990DSQG | SM1A27PSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.