AOC3860 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOC3860 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOC3860
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: ALPHADFN3.05X1.77
 

 Аналог (замена) для AOC3860

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOC3860 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  aosemi
 aoc3860.pdf pdf_icon

AOC3860

AOC386012V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 0.1. Size:699K  aosemi
 aoc3860a.pdf pdf_icon

AOC3860

AOC3860A12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 0.2. Size:766K  aosemi
 aoc3860c.pdf pdf_icon

AOC3860

AOC3860C12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:469K  aosemi
 aoc3864.pdf pdf_icon

AOC3860

AOC386420V Common-Drain Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 20V Low RSS(ON) Fully protected AlphaDFN package RSS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOB2146L , AOB2502L , AOB2904 , AOB2906 , AOB9N70L , AOC2804B , AOC2870 , AOC2874 , 12N60 , AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P .

History: WMN12N100C2 | AOD208 | IRFL3713 | STL58N3LLH5 | FCH099N65S3 | SSF53A0E | S10H08RN

 

 
Back to Top

 


 
.