AOC3870 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOC3870 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOC3870
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: ALPHADFN3.01X1.52 10
 

 Аналог (замена) для AOC3870

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOC3870 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  aosemi
 aoc3870.pdf pdf_icon

AOC3870

AOC387012V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 0.1. Size:799K  aosemi
 aoc3870a.pdf pdf_icon

AOC3870

AOC3870A12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 0.2. Size:793K  aosemi
 aoc3870c.pdf pdf_icon

AOC3870

AOC3870C12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:906K  aosemi
 aoc3878.pdf pdf_icon

AOC3870

AOC387812V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOB9N70L , AOC2804B , AOC2870 , AOC2874 , AOC3860 , AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , IRF9540N , AOD409G , AOD424G , AOD442G , AOD522P , AOD558 , AOD607A , AOD661 , AOD294A .

History: IXFN360N10T | AOC3868 | SPA17N80C3 | MSE20N06N | FDP045N10A | FDP150N10A

 

 
Back to Top

 


 
.