AON6232A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6232A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 835 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6232A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6232A даташит

 ..1. Size:237K  aosemi
aon6232a.pdfpdf_icon

AON6232A

AON6232A 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:344K  aosemi
aon6232.pdfpdf_icon

AON6232A

AON6232 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON6232 uses trench MOSFET technology that is 40V uniquely optimized to provide the most efficient high 85A ID (at VGS=10V) frequency switching performance.Power losses are

 8.1. Size:323K  1
aon6234.pdfpdf_icon

AON6232A

AON6234 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON6234 uses trench MOSFET technology that is 40V uniquely optimized to provide the most efficient high 85A ID (at VGS=10V) frequency switching performance.Power losses are

 8.2. Size:637K  1
aon6236.pdfpdf_icon

AON6232A

AON6236 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 40V The AON6236 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 30A frequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AON6154, AON6156, AON6160, AON6162, AON6224, AON6220, AON6224A, AON6226, IRLB3034, AON6262E, AON6264E, AON6266E, AON6268, AON6276, AON6284A, AON6312, AON6314