Справочник MOSFET. AON6262E

 

AON6262E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6262E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6262E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6262E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  1
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6262E

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:334K  aosemi
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6262E

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:368K  aosemi
 aon6266.pdf pdf_icon

AON6262E

AON626660V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:347K  aosemi
 aon6264e.pdf pdf_icon

AON6262E

AON6264ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 28A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6156 , AON6160 , AON6162 , AON6224 , AON6220 , AON6224A , AON6226 , AON6232A , AON7403 , AON6264E , AON6266E , AON6268 , AON6276 , AON6284A , AON6312 , AON6314 , AON6354 .

History: IPB80N06S2-09 | SVF18NE50PN | IPA80R900P7 | QS6U24 | RS3E075AT | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.