Справочник MOSFET. AON6312

 

AON6312 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6312
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 875 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00185 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6EP2
 

 Аналог (замена) для AON6312

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  aosemi
 aon6312.pdf pdf_icon

AON6312

AON631230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 130A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:359K  aosemi
 aon6314.pdf pdf_icon

AON6312

AON631430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:346K  1
 aon6354.pdf pdf_icon

AON6312

AON635430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:339K  1
 aon6382.pdf pdf_icon

AON6312

AON638230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6226 , AON6232A , AON6262E , AON6264E , AON6266E , AON6268 , AON6276 , AON6284A , 2N7002 , AON6314 , AON6354 , AON6358 , AON6360 , AON6362 , AON6366E , AON6368 , AON6370 .

History: AP4226BGM-HF | CSD83325L | 2SK596S-B | AP4418GH | BSL307SP | OSG70R2K6DF | SVF2N70F

 

 
Back to Top

 


 
.