IRFD9024 datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRFD9024 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFD9024 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 max nC

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: HD-1

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRFD9024

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRFD9024 даташит

..1. Size:1837K international rectifier
irfd9024pbf.pdf pdf_icon

PD- 95922 IRFD9024PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91137 www.vishay.com 1 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 2 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 3 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 4 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 5 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 6 IRFD9024PbF Peak Diode R

..2. Size:178K international rectifier
irfd9024.pdf pdf_icon

..3. Size:1688K vishay
irfd9024 sihfd9024.pdf pdf_icon

IRFD9024, SiHFD9024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 For Automatic Insertion RoHS* Qg (Max.) (nC) 19 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 5.4 P-Channel Qgd (nC) 11 Fast Switching Configuration Single 175 C Operating Temperature

..4. Size:1690K vishay
irfd9024pbf sihfd9024.pdf pdf_icon