AONS21307 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONS21307

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AONS21307

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS21307 даташит

 ..1. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf pdf_icon

AONS21307

AONS21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:399K  aosemi
 aons21309c.pdf pdf_icon

AONS21307

AONS21309C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.2. Size:414K  aosemi
 aons21303c.pdf pdf_icon

AONS21307

AONS21303C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -180A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:387K  1
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21307

AONS21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONE36182, AONR21307, AONR21357, AONR32314, AONR36366, AONR36368, AONR62818, AONR66406, IRF1010E, AONS21357, AONS32306, AONS32314, AONS62602, AONS62614, AONS62618, AONS62922, AONS66402