AONS66402 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONS66402

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1035 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AONS66402

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66402 даташит

 ..1. Size:322K  aosemi
 aons66402.pdf pdf_icon

AONS66402

AONS66402 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:362K  aosemi
 aons66402t.pdf pdf_icon

AONS66402

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:427K  aosemi
 aons66407.pdf pdf_icon

AONS66402

AONS66407 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 370A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:414K  aosemi
 aons66408.pdf pdf_icon

AONS66402

AONS66408 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(ON) Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS21307, AONS21357, AONS32306, AONS32314, AONS62602, AONS62614, AONS62618, AONS62922, IRFP450, AONS66406, AONS66916, AOSD62666E, AOSP21307, AOSP21357, AOSP32314, AOSP32368, AOSP66406