AP2R803GJB - описание и поиск аналогов

 

AP2R803GJB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2R803GJB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO251S

Аналог (замена) для AP2R803GJB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2R803GJB даташит

 ..1. Size:137K  ape
 ap2r803gjb.pdf pdf_icon

AP2R803GJB

AP2R803GJB Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID3 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP2R803 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

 6.1. Size:93K  ape
 ap2r803gh.pdf pdf_icon

AP2R803GJB

AP2R803GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID 75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G D combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista

 6.2. Size:59K  ape
 ap2r803gmt-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GJB

AP2R803GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 3m Low On-resistance ID 105A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D D D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugged

 6.3. Size:93K  ape
 ap2r803gh-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GJB

AP2R803GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D best combination of fast switching, rugg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP85T08GS , AP95T06GP , AP95T06GS , AP40T10GH , AP40T10GP , AP85T03GP , AP85T03GS , AP2761S-A , IRFB4115 , AP3987P , AP9974AGH , AP9974AGP , AP9974GH , AP9974GJ , AP9974GP , AP08P20GP , AP15P10GH .

History: AP2311GN | 2SK1703 | FDME1034CZT | AP9581GP | MTP12N18 | AGM628MD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.