AP80N03GP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP80N03GP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 895 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AP80N03GP
AP80N03GP Datasheet (PDF)
ap80n03gp.pdf

AP80N03GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 8m Simple Drive Requirement ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP80N03 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the low
ap80n30w.pdf

AP80N30WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 66m High Speed Switching ID 36AGSDescriptionAP80N30 from APEC provide the designer with the best combination offast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.GThe TO-3P package is
Другие MOSFET... AP18N20GS , AP30P10GP , AP9468GH , AP9468GS , AP9972AGP , AP9972GP , AP9972GS , AP18T20GH , IRF4905 , AP86T02GH , AP86T02GJ , AP86T02GJB , AP09N20H , AP09N20J , AP70T15GI , AP02N90P , AP72T02GH .
History: AP4800GM | WSP4406 | IRF7343QPBF | SDF07N50 | 2SK3541T2L | STB80PF55
History: AP4800GM | WSP4406 | IRF7343QPBF | SDF07N50 | 2SK3541T2L | STB80PF55



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor