Справочник MOSFET. AP80N03GP

 

AP80N03GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP80N03GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 895 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP80N03GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N03GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  ape
 ap80n03gp.pdf pdf_icon

AP80N03GP

AP80N03GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 8m Simple Drive Requirement ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP80N03 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the low

 8.1. Size:570K  1
 ap80n04q.pdf pdf_icon

AP80N03GP

 8.2. Size:1965K  1
 ap80n04g.pdf pdf_icon

AP80N03GP

 9.1. Size:95K  ape
 ap80n30w.pdf pdf_icon

AP80N03GP

AP80N30WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 66m High Speed Switching ID 36AGSDescriptionAP80N30 from APEC provide the designer with the best combination offast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.GThe TO-3P package is

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP18N20GS , AP30P10GP , AP9468GH , AP9468GS , AP9972AGP , AP9972GP , AP9972GS , AP18T20GH , 4435 , AP86T02GH , AP86T02GJ , AP86T02GJB , AP09N20H , AP09N20J , AP70T15GI , AP02N90P , AP72T02GH .

History: CJAE2002 | HM20N06 | DAMI280N200 | BUK7614-55A | AO3413 | CEF08N8 | BUK9528-55A

 

 
Back to Top

 


 
.