Справочник MOSFET. AP86T02GJB

 

AP86T02GJB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP86T02GJB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO251S
 

 Аналог (замена) для AP86T02GJB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP86T02GJB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  ape
 ap86t02gjb.pdf pdf_icon

AP86T02GJB

AP86T02GJBHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP86T02 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest poss

 5.1. Size:186K  ape
 ap86t02gj.pdf pdf_icon

AP86T02GJB

AP86T02GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS CompliantSDescriptionGAP86T02 series are from Advanced Power innovated design and silicon DSTO-252(H)process technology to achieve the low

 6.1. Size:264K  ape
 ap86t02gh j-hf.pdf pdf_icon

AP86T02GJB

AP86T02GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25VD Low On-resistance RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS CompliantSDescriptionGDSTO-252(H)The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialsurface mount applications and suited

 6.2. Size:235K  ape
 ap86t02gh.pdf pdf_icon

AP86T02GJB

AP86T02GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 25V Low On-resistance RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS CompliantSDescriptionGAP86T02 series are from Advanced Power innovated design and silicon DSTO-252(H)process technology to achieve the low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9468GS , AP9972AGP , AP9972GP , AP9972GS , AP18T20GH , AP80N03GP , AP86T02GH , AP86T02GJ , IRLZ44N , AP09N20H , AP09N20J , AP70T15GI , AP02N90P , AP72T02GH , AP83T03GJ , AP95T10GI , AP04N60J .

History: AOH3106 | SWT69N65K2F | STD30PF03L-1 | SI8499DB | 2SJ285 | APT60M75L2LL

 

 
Back to Top

 


 
.